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「サージアブソーバ 基板実装タイプ」の検索結果

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14件中/11-14件目を表示
シリーズ名 R・A・V-L-A
製品区分 基板実装タイプ
製品仕様 クランプ電圧 90~1,500V, インパルス電流耐量 2,400A(8/20μs)
原産国 日本
製品特長 通信/信号/電話回線・DC電源開閉サージ対策・静電気サージ対策用SPD、バリスタ内蔵ガスアレスタ
シリーズ名 R・A・V-LD
製品区分 基板実装タイプ
製品仕様 クランプ電圧 220~620V, インパルス電流耐量 2,400A(8/20μs)
原産国 日本
製品特長 通信/信号/電話回線・DC電源開閉サージ対策・静電気サージ対策用SPD、バリスタ内蔵ガスアレスタ、3端子構造
シリーズ名 ZP/ CP/ U/ B
製品区分 基板実装タイプ
製品仕様 公称ブレークダウン電圧 1000シリーズ: 10~120V/2000シリーズ 7.5~400V/3000シリーズ 8.2~180V/5000シリーズ 8.2~180V, 定格ピークインパルス電力損失 ZP, CP: 6,000W(8/20μs)/U, B: 18,000W/34,000W/44,000W(8/20μs)
原産国 日本
製品特長 通信/信号/電話回線・DC電源開閉サージ対策・静電気サージ対策用SPD、単方向(ZP・U)/双方向(CP・B)タイプシリコンサージアブソーバ
シリーズ名 SS
製品区分 基板実装タイプ
製品仕様 公称ブレークダウン電圧 8.2~33V, 定格ピークインパルス電力損失 4200W(8/20μs)
原産国 日本
製品特長 通信/信号/電話回線・DC電源開閉サージ対策・静電気サージ対策用SPD、アレータイプシリコンサージアブソーバ、4素子/8素子及びセンターコモン/レフトコモン対応

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